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半导体学报:英文版

半导体论文 期刊名称: 半导体学报:英文版
期刊级别: 国家级
国内统一刊号: 11-5781/TN
国际标准刊号: 1674-4926
期刊周期: 月刊
主管单位: 中国科学院
主办单位: 中国电子学会 中国科学院半导体研究所
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  半导体学报:英文版》期刊简介

  • 期刊信息:

  《半导体学报》是中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物。它报道半导体物理学、半导体科学技术和相关科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,内容包括半导体超晶格和微结构物理,半导体材料物理,包括量子点和量子线等材料在内的新型半导体材料的生长及性质测试,半导体器件物理,新型半导体器件,集成电路的CAD设计和研制,新工艺,半导体光电子器件和光电集成,与半导体器件相关的薄膜生长工艺,性质和应用等等。本刊与物理类期刊和电子类期刊不同,是以半导体和相关材料为中心的,从物理,材料,器件到应用的,从研究到技术开发的,跨越物理和信息两个学科的综合性学术刊物。《半导体学报》发表中、英文稿件。《半导体学报》被世界四大检索系统(美国工程索引(EI),化学文摘(CA),英国科学文摘(SA),俄罗斯文摘杂志(РЖ))收录。

  《半导体学报》1980年创刊。现为月刊,每期190页左右,国内外公开发行。每期均有英文目次,每篇中文论文均有英文摘要。《半导体学报》主编为王守武院士。主要读者对象是从事半导体科学研究、技术开发、生产及相关学科的科技人员、管理人员和大专院校的师生。

  学报期刊荣誉

  《半导体学报》获奖情况:中科院优秀期刊二等奖(90)、全国优秀期刊三等奖(92)、全国优秀期刊三等奖(97);该刊被以下数据库收录:CA化学文摘(美)(2009)、SA科学文摘(英)(2009)、CBST科学技术文献速报(日)(2009)、Pж(AJ)文摘杂志(俄)(2009)、EI工程索引(美)(2009)、中国科学引文数据库(CSCD—2008)。

  • 期刊栏目:

  《半导体学报》主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。

  • 数据库收录情况:
  • 办刊宗旨:
  • 影响因子
  

  期刊收录论文目录

  Steady-state solution growth of microcrystalline silicon on nanocrystalline seed layers on glassR.Bansen C.Ehlers Th.Teubner T (37)

  Optoelectronic properties and Seebeck coefficient in SnSe thin filmsK S Urmila;T A Namitha;J Raja (41)

  Bulk heterojunction thin film formation by single and dual feed ultrasonic spray method for application in organic solar cellsD.M.Marathe H.S.Tarkas M.S.Mah (47)

  A thin transition film formed by plasma exposure contributes to the germanium surface hydrophilicity赖淑妹;毛丹枫;黄志伟;许怡红;陈松岩;李成;黄巍;汤丁亮 (51)

  A transformed analytical model for thermal noise of FinFET based on fringing field approximationSavitesh Madhulika Sharma S.Da (57)

  Investigation of Coulomb scattering on sSi/Si_(0.5)Ge_(0.5)/sSOI quantum-well p-MOSFETs文娇;刘强;刘畅;王翼泽;张波;薛忠营;狄增峰;俞文杰;赵清

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