半导体光电投稿格式要求
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1) 专著：作者.书名.版本(第1版不著录)[M].出版地:出版者,出版年:起止页码.
2) 译著:作者.书名[M].译者,译.出版地:出版者,出版年:起止页码.
3) 期刊:作者.题名[J].刊名,出版年份,卷(期):起止页码.
4) 会议论文集:作者.题名[C]// 编者.论文集名.出版地:出版者,出版年:起止页码.
5) 学位论文:作者.题名:[学位论文][D].保存地:保存者,年份.
6) 专利文献:专利申请者.题名.专利国别,专利号[P].公告日期或公开日期.
7) 标准:责任者.标准代号 标准名称[S].出版地:出版者,出版年.
8) 电子文献标注格式:主要责任者.题名：其它题名信息[文献类型标志/文献载体标志].出版地：出版者，出版年(更新或修改日期)[引用日期].获取和访问路径.
9) 注意事项
(1)参考文献中的外文作者名、外文刊名的缩写一律不用缩写点。
(2)外文著者一律用姓在名前，采用首字母缩写(中国人用全名不缩写)。姓和名之间不加逗号，名2个以上大写首字母，2名间空一格。文献作者3名以内全部列出，4名以上则列前3人，后加“et al”。各著者间不加“and”、“和”等，应用逗号分开。
(3)外文题名第一个单词首字母大写，其余单词(专有名词除外)均不大写。
(4)外文刊名应按国际标准规定缩写，不加缩写点。
(5) 为扩大期刊论文的传播范围，提高影响力，即日起，凡文中涉及的中文参考文献，请提供对应外文格式。
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半导体光电发表论文栏目？
目前栏目是：动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光通信、光电技术应用。
半导体光电编辑部地址
编辑部地址是重庆市沙坪坝区西永大道23号《半导体光电》编辑部。
半导体光电主编
主编：刘昌林
半导体光电获得的荣誉
获得的荣誉：全国中文核心期刊，连续多年获得工业和信息化部“优秀科技期刊奖”。被中国科学引文数据库、中国学术期刊、INSPEC数据库、Elsevier二次文献Scopus数据库、《CA》、《JA》
