半导体技术

　　《半导体技术》(ISSN 1003-353X、CN13-1109/TN、CODEN BAJIFJ)是国家新闻出版署批准公开发行、中国电子科技集团公司主管、中国电子科技集团公司第十三研究所主办的科技期刊。

　　本刊创刊于1976年，重点介绍半导体新材料的研发、半导体器件(CMOS器件、有机半导体器件、化合物半导体器件、半导体光电器件、薄膜晶体管等)和技术、集成电路设计与应用、半导体制备和封装技术、可靠性(功率器件、封装可靠性等)、检测技术与设备等领域国内外的最新研究成果。栏目分为：趋势与展望，半导体材料与器件，半导体制备技术，集成电路设计与应用，封装、检测与设备。

　　本刊为中文核心期刊、中国科技核心期刊，被《中国学术期刊网络出版总库》、中文科技期刊数据库、万方数据知识服务平台、超星期刊域出版平台、科技期刊世界影响力指数(WJCI)报告、美国《化学文摘》(CA)、美国《剑桥科学文摘》(CSA)、美国《乌利希期刊指南》(UPD)、英国INSPEC数据库、俄罗斯《文摘杂志》(AJ of VINITI)、日本科学技术振兴机构数据库(JST)、美国《史蒂芬斯数据库》(EBSCOhost)等国内外数据库收录。

趋势与展望，半导体材料与器件，半导体制备技术，集成电路设计与应用，封装、检测与设备

中文核心期刊、中国科技核心期刊，被《中国学术期刊网络出版总库》、中文科技期刊数据库、万方数据知识服务平台、超星期刊域出版平台、科技期刊世界影响力指数（WJCI）报告、美国《化学文摘》（CA）、美国《剑桥科学文摘》（CSA）、美国《乌利希期刊指南》（UPD）、英国INSPEC数据库、俄罗斯《文摘杂志》（AJ of VINITI）、日本科学技术振兴机构数据库（JST）、美国《史蒂芬斯数据库》

　　1. 征稿范围

　　半导体新材料的研发、半导体器件(CMOS器件、有机半导体器件、化合物半导体器件、半导体光电器件、薄膜晶体管、存储器等)和技术、集成电路设计与应用、先进半导体制造技术和封装技术、可靠性(功率器件可靠性、ESD技术等)、检测技术与设备等领域国内外的研究进展和最新研究成果。主要栏目：趋势与展望，半导体材料与器件，半导体制备技术，集成电路设计与应用，封装、检测与设备。

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　　2. 投稿方法

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　　3. 投稿要求

　　♦ 作者在投稿前，须准备好全部作者签字、单位盖章的论文审查证明，在投稿系统中上传电子扫描版。投稿作者必须遵守学术规范和准则，勿一稿多投，杜绝泄密、抄袭、剽窃等行为。

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　　♦ 稿件应论点明确、数据可靠、条理清晰、文字精炼，论文撰写符合国家出版标准和规范。

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　　♦ 在稿件的最后一页需附上作者简介、第一作者近期1寸免冠证件照片(JPG格式)。若第一作者为在校学生，还需提供导师的个人简介(作者简介总数不超过3个)，并确认导师是否同意投稿，且文中所有内容(例如：数据)已经核实准确无误。

　　4. 审稿流程

　　收到稿件后，编辑部将通过“科技期刊学术不端文献检测系统”、网络搜索文献对比和编辑部综合审查等对稿件进行初审(5~7个工作日)，无论初审通过与否，编辑部都会尽快告知。初审通过后的稿件将送至相关领域专家进行“双盲审稿”，编辑部于40天左右将评审意见发给作者。作者应将修改后的文稿及时(3周内)返回编辑部，审阅通过后将进行编辑加工和印刷出版。

　　5. 注意事项

　　自作者投稿之日起，视所有署名作者同意将文章的版权转让给《半导体技术》编辑部。本刊已许可中国知网、美国《化学文摘》(CA)及英国INSPEC等数据库以数字化方式复制、汇编、信息网络传播本刊全文。所有著作权转让费用均包含在论文刊登后《半导体技术》期刊支付的稿酬中，不再另行支付费用。作者向本刊提交文章发表的行为即视为同意我编辑部上述声明。如有异议，请在来稿时说明，本刊将进行适当处理。