半导体技术投稿格式要求
书写格式
♦ 题目要求不超过20字。
♦ 署名作者及所在单位：提供中英文的单位全称、所在城市和邮政编码，作者人数不超过7人。
♦ 中英文摘要：摘要宜用第三人称写明论文的目的、方法、结果和结论，中文250字左右。
♦ 关键词：中英文5~8个。
♦ 中图分类号：采用中国图书分类法(第五版进行分类)。
♦ 基金项目：在首页页脚标注项目名称和批准号。
♦ 缩略词和物理量：正文部分英文缩略词第一次出现时须写出中英文全称;物理量符号须分清大小写、正斜体、上下角，第一次出现该符号时需给出其含义。
♦ 图、表和公式：按在论文中出现的先后顺序编号并排在正文相应位置，在图下面标注图题、图注。有分图时分图用(a)(b)(c)等标识并给出中文分图题，插图最好用矢量图格式。表格应简明，宜用三线表，图和表里的文字用中文。图表以不小于50 mm×70 mm 为宜，照片须清晰，分辨率不低于600 dpi。图、表中出现的物理量名称和符号须与正文一致，不要出现正文中没有提及或与正文内容无关的文字或符号。公式在文章中以阿拉伯数字连续编号，需用Mathtype公式编辑器编辑。
♦ 参考文献：按在正文中出现的顺序编号，用方括号标于引文处右上角，并与文末参考文献序码对应一致。请勿引用尚未公开发表的资料，应符合GB/T 7714—2015文献著录规则，著录项目齐全。
⇒ 期刊格式：作者(列前三名，姓前名后，英文全部大写)，等. 文章题目(英文首字母大写)[J]. 刊名(每个英文单词首字母大写)，发表年份，卷(期)：起止页码.
⇒ 书籍格式：作者(列前三名，姓前名后，英文全部大写)，等. 书名(英文首字母大写)[M]. 出版地：出版社，出版年份：参考起止页码.
⇒ 会议论文集格式：作者(列前三名，姓前名后，英文全部大写)，等. 文章题目(英文首字母大写)[C] // 会议名称. 会议召开的城市，国别，年份：起止页码.
♦ 作者简介(含导师简介)：姓名(出生年—)，性别，籍贯(出生地，如：河北石家庄人)，学历，职称，从事专业或研究方向。
半导体技术编辑部地址
编辑部地址是河北省石家庄市合作路113号。
半导体技术主管单位
主管单位是：中国电子科技集团公司。
半导体技术创刊时间
创刊时间是：1976。
半导体技术邮发号
邮发号：18-65。
半导体技术编委会成员
编委会成员：
顾问：
王占国(院士) 李树深(院士)
名誉主任：
俞忠钰 毕克允 赵正平
主任：
蔡树军
副主任：
卜爱民 崔玉兴 赵小宁 于燮康
委员(按姓氏笔画排序)：
于宗光 马凯学 马晓华 王 珺 王三胜 邓二平 卢豫曾 叶甜春
朱明程 刘佑宝 刘国友 刘斯扬 汤庭鳌 杨建红 李 征 吴林晟
吴春瑜 吴景峰 沈 波 张 波 张光祖 陈文华 陈秉克 周祖成
赵建忠 秦 华 贾松良 顾晓峰 郭 清 黄学良 曹俊诚 康仁科
褚金奎 魏少军
