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绝缘材料2025年第02期:基于密度泛函理论的γ-Al_2O_3对C_2F_6与C_3F_8表面吸附研究

来源:期刊VIP网 时间:


作者:万冬毅;魏钢;曹政钦;胡敏;刘航;罗尧;姚强;

单位:重庆科技大学;国网重庆市电力公司超高压分公司;国网重庆市电力公司电力科学研究院;

摘要:C_4F_7N在放电或过热故障时会产生有害分解副产物,特别是C_2F_6和C_3F_8生成量相对较大,会对气体绝缘设备的安全运行和使用寿命构成威胁,因此有必要对其进行控制和处理。本文研究了C_2F_6与C_3F_8在γ-Al_2O_3(110)上的吸附能、电荷转移、吸附距离,并进行了态密度分析,以评价γ-Al_2O_3作为副产物吸附剂的可能性。结果表明:γ-Al_2O_3表面对C_2F_6和C_3F_8分子具有较强的吸附能力,吸附能分别达到-0.574 4 eV和-2.819 eV,表现出较强的吸附效果。特别是在A位点上的吸附构型显示出更高的稳定性和较强的电荷转移现象,表明两种气体与γ-Al_2O_3具有强相互作用。态密度分析结果进一步证实,C_2F_6和C_3F_8的吸附不仅改变了γ-Al_2O_3表面的电子状态,也影响了其电子和化学性质,这为利用γ-Al_2O_3作为C_4F_7N的副产物吸附剂提供了理论支持。

关键词:C_4F_7N;;γ-Al_2O_3;;吸附性能;;态密度分析

基金资助:重庆科技大学研究生创新项目(YKJCX2320401);; 重庆市研究生科研创新项目(CYS240793);; 国网重庆市电力公司科技项目(2023渝电科技24#)