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作者：王博;吴紫乐;张嫚珈;李承月;冷毅帆;游维雄;
单位：江西理工大学材料科学与工程学院;江西省稀土发光材料及器件重点实验室;
摘要：陷阱深度是影响长余辉发光材料性能的重要因素，因此通过调控基质材料的陷阱深度获得良好的长余辉发光性能是目前研究的重点。本文采用高温固相法合成了长余辉材料Ca_(0.92-x) Al_2Si_2O_8:0.08Ce~(3+), x RE~(3+)(RE~(3+)=Pr~(3+), Dy~(3+))，通过分析共掺Pr~(3+), Dy~(3+)之后材料的物相结构，禁带宽度、陷阱深度等变化，发现Pr~(3+), Dy~(3+)的掺入可以有效地增强Ca_(0.92-x) Al_2Si_2O_8:0.08Ce~(3+)的长余辉发光性能，其主要原因是Pr~(3+), Dy~(3+)的掺入可以调控材料的禁带宽度和陷阱深度，并且Pr~(3+)具有比Dy~(3+)更好的发光增强效果。EPR的结果表明杂质缺陷可能是电子陷阱的主要来源。研究结果表明利用稀土离子共掺来调控材料的陷阱深度是增强长余辉发光性能的有效方法。
关键词：Ce~(3+);;长余辉发光;;陷阱深度;;调控
基金资助：国家自然科学基金项目(12264021)资助
