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作者:杨静;田冬龙;徐海涛;王锋;张坚;
单位:山西中电科电子装备有限公司;
摘要:针对我国第三代半导体SiC合成用超高纯石墨粉依赖进口、面临“卡脖子”风险的问题,研发国产化高温纯化装备及工艺意义重大。本文设计了模块化高温纯化装备,包含炉体、加热、真空、气体调控等系统。并采用物化提纯法,在真空环境下通过高温(2 200~2 400℃)和氟氯昂气体将石墨粉中氧化物杂质转化为低沸点氯化物挥发去除。结果表明,纯化后石墨粉纯度从99.9897%提升至99.999925%,总灰分≤0.25×10~(-6),金属元素含量均低于检测下限;粒度分布、晶型和微观形貌未受显著影响。该装备及工艺实现了超高纯石墨粉国产化,性能满足第三代半导体SiC合成需求。
关键词:超高纯石墨粉;;高温;;纯化工艺;;纯化装备
基金资助:山西省科技成果转化项目(202204021301020)