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作者：贺逸轩;汪小红;吕文中;姜海;
单位：华中科技大学集成电路学院;华中科技大学光学与电子信息学院;宁波大学物理科学与技术学院;
摘要：基于无压烧结条件下制备兼具高热导率及高弯曲强度AlN陶瓷的需求，采用新型二元烧结添加剂Sm_2O_3与YF_3，通过无压烧结制备了含有Sm_2O_3（添加含量为0.3～6.5 wt%）的AlN陶瓷，并比较了两步烧结法与传统工艺的不同影响。结果表明AlN陶瓷中的第二相为SmAlO_3，两步烧结的添加6.5 wt%Sm_2O_3-1 wt%YF_3的AIN陶瓷综合性能最佳，其热导率为176.9 W·m~(-1)·K~(-1)，弯曲强度为368.6 MPa。Sm_2O_3的引入会与AlN中的Al_2O_3反应产生液相，促进AlN的致密化、抑制晶粒生长并起到除氧作用。相较于传统的烧结方法，两步烧结法不仅减少了陶瓷中的第二相的含量，还促进第二相向三叉晶界分布，进而显著提高了热导率；与此同时第二相分布的变化还可调控AlN陶瓷的弯曲强度。
关键词：AlN;;Sm_2O_3;;YF_3;;无压烧结;;热导率;;弯曲强度
基金资助：湖北省重点研发计划项目（2022BAA031）
