来源：期刊VIP网 时间：
作者：任超群;陈超婵;韩刚;何林锋;唐波;吴新锋;
单位：上海第二工业大学能源与材料学院;上海市计量测试技术研究院;杭州幄肯新材料科技有限公司;
摘要：作为极具发展前景的第三代半导体材料，碳化硅具有击穿强度高、电子饱和漂移速率大等优势，在航空航天、核电等领域广泛应用。介绍了碳化硅材料的制备方法，包括直接碳化法、化学气相沉积法、碳热还原法、放电等离子烧结法、溶胶±凝胶法等。概述了不同方法的制备过程及影响因素，旨在为碳化硅材料的制备和应用提供建议。
关键词：碳化硅;;直接碳化法;;化学气相沉积法;;碳热还原法;;放电等离子烧结法;;溶胶-凝胶法
基金资助：上海市“科技创新行动计划”技术标准项目“新型电磁材料的电磁特性技术标准研究”（23DZD2201000）
