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作者：范娜;张忠义;胡群;陈传东;赵思远;岳帅军;刘杨;崔燕英;李晓佩;
单位：包头稀土研究院;
摘要：本文系统地总结了集成电路制作过程中浅沟隔离槽(Shallow trench isolation,STI)、层间介质(Inter level dielectric,ILD)以及金属层等的化学机械抛光研究进展。在浅沟隔离槽的化学机械抛光过程中，材料去除机理与稀土抛光材料中的三价铈的含量密切相关，材料表面三价铈的含量越高，抛光速率越快。在层间介质的化学机械抛光过程中，Cook提出弹性接触理论较好地解释了材料去除机理。在金属膜层的化学机械抛光过程中，材料去除机理涉及金属表面被氧化生成其氧化物后通过机械抛光作用而达到材料去除的目的。
关键词：集成电路;;化学机械抛光;;氧化铈抛光液;;材料去除机理;;研究进展
基金资助：内蒙古自治区自然科学基金项目(2021MS02007);; 内蒙古自治区重大科技专项(2021ZD0028);; 北方稀土项目(BFXT-2022-D-0021;BFXT-2024-D-0007);; 包头稀土研究院项目(2025Z2636)
