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作者：顾杰;殷华湘;吴振华;张青竹;
单位：中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;中国科学院大学;中国有研科技集团有限公司智能传感功能材料国家重点实验室;
摘要：量子计算作为未来计算技术发展的一个重要方向，在一些特定领域具有现代计算机无可比拟的强大优势。基于硅材料的金属氧化物半导体（metal-oxide-semiconductor, MOS）量子点自旋量子比特由于拥有较长的相干时间以及与现代集成电路工艺兼容等优势，在近些年来获得了广泛研究，并取得了较大发展，成为了实现通用量子计算重要的候选方案之一。总结了硅MOS量子点单自旋量子比特实现方案，介绍了硅量子点量子计算的研究背景及意义，叙述目前硅MOS量子点单自旋量子比的研究进展，介绍了MOS量子点器件结构、量子点电荷输运理论、量子比特的读出、量子比特的操作、退相干的影响因素与抑制方法以及扩展与集成等方面的内容，最后讨论了硅MOS量子点自旋量子比特在实现通用量子计算方面面临的挑战与未来发展趋势。
关键词：硅量子点;;量子比特;;量子计算;;自旋
基金资助：中国科学院战略性先导科技专项项目（Y9XDC2X001）;中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题基金项目（Y8YS03X002）;中国科学院青年促进会基金项目（Y9YQ01R004）资助
