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作者：吴忠举;白杨丰;田冬龙;成洋洋;李剑;张婷;
单位：山西中电科新能源技术有限公司;
摘要：通过对现有石墨提纯技术梳理，提出物化提纯法的概念、反应机理及提纯流程，提出物化提纯法的3个重要技术指标，即工艺气体选择、工艺炉压选择和工艺温度选择，根据提纯流程对第3代半导体SiC用高纯石墨制品进行试验，通过试验证明，使用物化提纯法对第3代半导体碳化硅用石墨制品进行提纯，其纯度可以稳定在99.9995%～99.9999%,并且可以定向去除第3代半导体碳化硅用高纯石墨制品中B和Al元素，完全可以满足第3代半导体碳化硅用高纯石墨制品的纯度要求。
关键词：高纯石墨制品;物化提纯法;碳化硅;定向去除
