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作者：范迦羽;李恬晨;和峰;李学宝;崔翔;
单位：新能源电力系统全国重点实验室(华北电力大学);先进输电技术国家重点实验室(北京智慧能源研究院);
摘要：绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)器件内部通过并联大量芯片保证其关断能力，当并联芯片的参数分散性较大时，器件的关断能力会不可避免的退化。因而，研究IGBT器件关断能力提升的参数筛选方法非常重要。为此，本文首先分析了并联两IGBT芯片关断失效的特征及关键的影响因素，并首次给出了并联IGBT芯片动态闩锁失效的电压电流波形。波形表明，关断重分配的电流不均令并联芯片在关断时承受不同应力，从而导致IGBT器件的关断能力退化。此外，上述过程受芯片阈值电压，转移特性曲线等诸多参数影响，因此需要通过多参数筛选以提升器件的关断能力。所以，本文总结了300组芯片并联关断的实验结果，研究了并联芯片参数差异与关断均流的关系，并提出并联芯片的关断均流的参数筛选方法，从而提升器件的关断能力。实验结果表明，通过筛选栅极阈值电压、转移特性曲线以及等效跨导可以有效保证芯片在1.8倍额定电流下的关断电流差峰值小于10%,验证了所提方法的有效性。
关键词：并联IGBT芯片;;关断失效特征;;动态闩锁失效;;关断电流重分配;;参数筛选方法
基金资助：国家自然科学基金资助项目(52225701)
