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作者：李守亮;岳文静;李阳;
单位：济南大学信息科学与工程学院;
摘要：为了实现忆阻器在神经形态计算中的应用，采用射频磁控溅射技术，在氧化铟锡导电玻璃衬底上依次生长氧化钨、氧化锌异质结的阻变层和银顶电极，制备氧化钨-氧化锌忆阻器，对制得忆阻器的结构、化学组成及电学性能进行表征和测试。结果表明：制得的忆阻器具有类似生物的神经突触特性，阻变行为由界面势垒调控机制主导作用；制得的忆阻器交叉阵列用于分类识别的平均正确率达到86.3%,接近中央处理器网络的平均正确率87.4%,可用于神经形态计算。
关键词：忆阻器;;神经突触;;射频磁控溅射;;神经形态计算;;分类识别;;神经网络
基金资助：国家自然科学基金项目(62174068)
