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作者：潘志吉;刘立业;卫晓峰;赵原;曹勤剑;王晓龙;郑智睿;焦岩;
单位：中国辐射防护研究院;辐射安全与防护山西省重点实验室;中核集团辐射防护技术重点实验室;
摘要：p型MOSFET剂量计广泛应用于各种高剂量环境下的辐射监测,因其需要采用特殊半导体制造工艺而导致成本过高,本文选用普通国产商用VDMOS进行剂量学实验,完成在线实时和被动测量情景下的灵敏度、线性、量程、衰退等特性的对比探究,进行退火后复用性能和剂量率响应特性研究,并对加偏置电压和串联模式提升VDMOS辐照灵敏度的方法进行验证。实验中的VDMOS在0.05～40 Gy剂量范围内线性良好,在线测量模式下辐照灵敏度为6.99 mV/Gy,零偏置被动测量模式下辐照灵敏度为2.36 mV/Gy,使用加10 V偏置电压和4个串联的方式可将辐照灵敏度分别提升为单个VDMOS零偏置模式的4.96倍和4.24倍,另外,该VDMOS退火复用特性和衰退特性表现良好。实验结果表明,国产商用VDMOS是一种低成本测量高剂量的有效方法。
关键词：国产;;商用VDMOS;;高剂量测量;;低成本
