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作者：张艳丽;曹中胜;王城;唐海川;
单位：西昌学院理学院;成都理工大学工程技术学院;
摘要：本文基于蒙特卡罗(MC)法研究了氢离子(氘和氚)在钨中的能量损失、衰减、背散射、空位数、溅射率、射程等,旨在研究氢离子对钨材的初级辐射损伤。研究结果表明,氢离子对钨的辐射损伤主要是电离损伤,氢离子在钨中沉积呈现B ragg峰曲线分布,且峰在钨中的深度随入射能量增大而增大,氢离子背散射几率随入射能量增大而减小,在钨中形成的空位数随入射能量增大而线性增大,且在相同能量条件下,氚大于氘。溅射率在入射能量为1keV-100 keV时较大。氢离子对钨的辐射损伤均集中在表层。此结果对钨材作为聚变堆第一壁材料的辐射损伤研究具有一定的参考价值。
关键词：第一壁材料;;钨;;辐射损伤;;蒙特卡罗方法
基金资助：西昌学院博士科研启动项目(015/117281540);; 凉山州科技计划重点研发项目(22ZDYF0190)资助
