来源：期刊VIP网 时间：
作者：区力函;李海侠;陈春宇;陈尚举;
单位：桂林理工大学广西高校先进制造与自动化技术重点实验室;桂林理工大学机械与控制工程学院;
摘要：基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了Sc单掺杂、N单掺杂和Sc±N共掺杂β-Ga_2O_3的晶格常数、电子结构以及光学性质。研究结果表明本征β-Ga_2O_3的带隙为1.99 eV，掺杂后所有掺杂体系的带隙变小，且均为直接带隙半导体，电子更加容易跃迁至导带，增强材料的对可见光的吸收性能；光学性质计算结果表明所有掺杂体系的静态介电常数变大，增强电荷束缚能力和极化能力，Sc±N共掺杂后改善β-Ga_2O_3的可见光区域和紫外光区域的吸收系数，表明Sc±N共掺杂β-Ga_2O_3的材料有望于应用紫外探测领域。
关键词：第一性原理;;β-Ga_2O_3;;电子结构;;光学性质
基金资助：广西自然科学基金（2021GXNSFAA220091）
