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作者：李苏豫;雷国莉;颜冲;李冬云;葛洪良;
单位：中国计量大学材料与化学学院;
摘要：采用传统固相法成功合成出了尖晶石型Mn(GaFe)_2O_4铁氧体。结果表明，当主要组成在Fe_2O_3=57.3-x mol%,MnO=42.7 mol%,Ga_2O_3=x mol%(0.0≤x≤3.0)范围时，Ga~(3+)的引入会减小晶格常数，促进晶粒生长的均匀化和材料致密化。高频磁性能测试发现，Ga的加入和变化对材料初始磁导率影响很小，但饱和磁通密度会随着Ga含量的增加而下降。当Ga含量为2 mol%时，材料高频损耗最低，约为170 kW/m~3(1 MHz、50 mT、100℃)。说明适量Ga掺杂可以有效降低Mn铁氧体高频损耗，为实现软磁铁氧体高频低损耗性能提供了一条新途径。
关键词：Ga掺杂;;Mn铁氧体;;高频损耗
基金资助：国家自然科学基金（U1809216）;; 浙江省“尖兵领雁+X”研发攻关计划（2024C01052）
