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作者：周毅;沈亚威;
单位：太原科技大学材料科学与工程学院;
摘要：利用固态反应烧结法制备了添加不同含量高熵组分的NaNbO_3基介电陶瓷材料，所选高熵组分为(Mg_(0.2)Ca_(0.2)Bi_(0.2)Na_(0.2)Ba_(0.2))TiO_3。利用XRD开展了物相结构分析，结果表明高熵组分较好地固溶进钙钛矿结构的主晶相NaNbO_3中。利用SEM分析陶瓷的微观形貌，表明高熵组分起到了细化晶粒的效果，但是当高熵组分含量超过0.3时晶粒会发生取向生长，形成棒状晶，使结构均匀化程度降低。介电常数与损耗随频率而降低，呈现MaxwellWagner型频谱特征。当高熵组分含量在0.2时，即0.8NaNbO_3-0.2 (Mg_(0.2)Ca_(0.2)Bi_(0.2)Na_(0.2)Ba_(0.2))TiO_3体系陶瓷中，获得了最高应用电场160 kV/cm、最高饱和极化强度13.3μC/cm~2、最低剩余极化强度1.5μC/cm~2、最高可释放能量密度0.85 J/cm~3、最大能量效率72.6%的最佳性能水平。
关键词：高熵组分;;NaNbO_3基陶瓷;;介电性能;;极化曲线;;储能特性
基金资助：国家自然科学基金（51902221）
