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作者：松见康平;王兴龙;胡笛;江安全;
单位：复旦大学集成电路与微纳电子创新学院;
摘要：铁电存储器因具有非易失性、快速读写、低功耗和高耐久性操作优势,在新兴存储领域具有巨大的发展潜力。铁电随机存储器(FeRAM)依赖电荷积分的破坏性读出机制,面临高密度发展的瓶颈。高密度铁电畴壁存储器利用不同取向电畴界面的对称性缺失产生的可擦写畴壁进行信息存储,该畴壁的电导率较体材料可实现数量级的提升,可以非破坏性地读出纳米电畴信息。铁电畴壁存储器不仅继承了传统铁电随机存储器超高的读写速度和持久的擦写能力,而且还可以进行三维堆叠,极大地提升了铁电存储器的存储密度,为集成通用存储器提供了希望。本文阐述了铁电畴壁器件的研究进展;特别回顾了近年来国内外关于BiFeO_3和LiNbO_3等铁电畴壁存储器的研究现状;总结了目前铁电畴壁存储器在集成电路领域中所面临的技术挑战,并对其未来的发展进行了展望。
关键词：铁电存储器;铁电畴壁;铁酸铋;铌酸锂
基金资助：国家重点研发计划(2024YFA1409500); 上海市科技创新行动计划(24CL2900900); 国家自然科学基金(62174034)
