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作者：杜剑宇;钟海;葛琛;
单位：天津理工大学理学院,天津市量子光学与智能光子学重点实验室;鲁东大学;中国科学院物理研究所;中国科学院大学;
摘要：铪基材料因其良好的互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容性、高介电常数和超薄尺度下稳定的铁电性能,被视为类脑计算器件的潜在功能材料。本文探讨了铪基铁电材料的基本物性(包括晶体结构、铁电性起源及结构相变机制),并分析了其与类脑计算相关的关键特性(如铁电极化及氧离子迁移行为)。此外,还总结了基于铪基铁电材料的神经形态器件结构,探讨了当前面临的挑战(如界面缺陷调控、疲劳耐久性的改善等),并展望了未来发展方向。
关键词：铪基材料;相变;铁电随机存储器;铁电场效应晶体管;铁电隧道结
基金资助：国家自然科学基金项目(12304470,12304123)
