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作者：窦瑛;王英民;高彦昭;程红娟;
单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所新型半导体晶体材料技术重点实验室;
摘要：采用有籽晶的高压布里奇曼法生长出CdSe单晶，并对不同Se添加量的CdSe单晶进行了性能研究。结果表明，添加的Se填充了单晶中的V_(Se)，降低了Cd/Se质量比，并未影响晶体的Raman特征峰。进而对添加Se的CdSe晶体的电学性能、光学性能和夹杂相进行了分析，数据表明，添加的Se填充V_(Se)后，降低了CdSe单晶中的自由载流子浓度，提升了单晶电阻率，减弱了自由载流子对红外光子的吸收，同时添加Se增强了CdSe单晶结构的稳定性，降低了夹杂相密度，二者协同作用，优化了CdSe单晶的电学和光学性能，CdSe单晶呈现出高电阻率，达到10~8Ω·cm以上，8～12μm波段红外透过率提升到69%，为其在长波红外固体激光器等领域的应用提供了借鉴意义。
关键词：CdSe单晶;;添加Se;;电阻率;;红外透过率;;夹杂相密度;;电学性能;;光学性能
