人工晶体学报杂志2025年第02期文章列表

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1：“氧化镓晶体与器件”专题——破局第四代半导体的创新实践

2：β相氧化镓p型导电研究进展

3：垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶及其性能表征

4：2英寸Fe掺杂高阻β相氧化镓单晶生长及(010)衬底性质研究

5：光学浮区法生长Bi掺杂β-Ga_2O_3单晶及其光谱性质研究

6：ε-Ga_2O_3晶体及其本征缺陷的第一性原理研究

7：氧化镓同质外延及二维“台阶流”生长研究

8：HVPE法同质外延氧化镓厚膜技术研究

9：基于mist CVD的高纯相α-Ga_2O_3生长与光电响应特性研究

10：MBE同质外延生长Sn掺杂β-Ga_2O_3(010)薄膜的电子输运性质研究

11：不同晶面蓝宝石衬底上α-Ga_2O_3雾化学气相沉积法生长研究

12：超宽禁带氧化镓功率器件新结构及其电热特性研究进展

13：氧化镓雪崩光电探测器的研究进展

14：超宽带隙氧化镓功率器件热管理的研究进展

15：MOCVD生长的外延层掺杂氧化镓场效应晶体管

16：β-Ga_2O_3基MSM型日盲紫外光电探测器高温电流输运机制的研究

17：脉冲激光沉积α相氧化镓薄膜及其日盲光电探测器

18：Ga_2O_3/NiO_x肖特基势垒二极管器件的性能优化研究

19：新型复合终端氧化镓肖特基二极管电学特性仿真研究

20：首量科技:■210 mm大尺寸Eu~(3+)∶CaF_2激光晶体生长

21：富加镓业“一键长晶”技术通过专家评估,全自动晶体生长装备助力氧化镓产业腾飞