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作者：丁子舰;颜世琪;徐希凡;辛倩;
单位：山东大学集成电路学院;
摘要：本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术，在m面蓝宝石衬底上外延生长了高质量亚稳态α相氧化镓(α-Ga_2O_3)薄膜，结合X射线衍射和扫描电子显微镜等表征手段，研究了不同生长温度和不同氧分压对薄膜形貌及结晶性的影响。基于优化条件下生长的异质外延α-Ga_2O_3薄膜，制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的日盲紫外光电探测器。由于薄膜较好的结晶质量和较少的缺陷，该探测器在254 nm日盲紫外光照射下表现出良好的光电响应，5 V偏压下具有10~(-6) A的光电流及10~(-10) A的暗电流，光暗电流比可达10~4,最大响应度达到36.7 A/W,最大外量子效率为1.79×10~4%,最大探测率为2.45×10~(14) Jones。
关键词：脉冲激光沉积;;α相氧化镓;;生长温度;;氧分压;;金属-半导体-金属;;日盲光电探测器
