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作者：郭满意;吴佳兴;杨帆;王超;王艳杰;迟耀丹;杨小天;
单位：吉林建筑大学寒地建筑综合节能教育部重点实验室;吉林建筑大学电气与计算机学院;吉林师范大学;
摘要：为了探究本征缺陷导电特性，本文采用第一性原理计算方法对ε-Ga_2O_3进行计算。首先计算ε-Ga_2O_3的晶格常数、能带间隙、态密度和能带结构，然后计算含有多种本征缺陷的ε-Ga_2O_3的态密度和能带结构，分析了它们的电学性质。计算结果表明：ε-Ga_2O_3为直接带隙半导体，禁带宽度为4.26 eV,光吸收系数峰值在80 nm左右，在450 nm处接近零。在本征缺陷中，不同点位Ga空位缺陷使ε-Ga_2O_3呈现出p型导电特性，不同点位O空位缺陷没有改变ε-Ga_2O_3的导电特性；O取代Ga之后，ε-Ga_2O_3呈现p型导电特性；Ga取代O之后，ε-Ga_2O_3呈现n型导电特性；引入O填隙的ε-Ga_2O_3的导电特性没有变化；Ga填隙时ε-Ga_2O_3呈现n型导电特性。
关键词：ε-Ga_2O_3晶体;;态密度;;能带结构;;导电特性;;第一性原理;;密度泛函理论
基金资助：吉林省科技发展计划(20200201177JC);; 吉林省教育厅科学研究项目(JJKH20240362KJ);; 吉林省科技厅自然科学基金项目(YDZJ202201ZYTS430)
