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作者：黄东阳;黄浩天;潘明艳;徐子骞;贾宁;齐红基;
单位：杭州富加镓业科技有限公司;中国科学院上海光学精密机械研究所;
摘要：本文采用自主设计的垂直布里奇曼(VB)炉，通过动态模拟与实验深度耦合迭代优化的方法，建立了生长炉模型，通过优化生长炉的温场得到最佳温场，并根据模拟最佳温场对实际温场进行优化改造，成功生长出直径3英寸(1英寸=2.54 cm)的氧化镓(β-Ga_2O_3)单晶。进一步加工得到最大尺寸为直径2.5英寸的(100)面β-Ga_2O_3晶圆，并对β-Ga_2O_3晶体的结晶质量和光学性能进行了表征测试。测试结果表明，β-Ga_2O_3晶体具有较高结晶质量，其紫外截止边为257.5 nm,对应光学带隙为4.78 eV,晶体的劳埃衍射斑点清晰、对称，摇摆曲线半峰全宽(FWHM)最小为39.6″。
关键词：β-Ga_2O_3;;垂直布里奇曼法;;晶体生长;;高结晶质量;;宽禁带半导体
基金资助：国家重点研发计划(2022YFB3605502)
