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作者：邵双尧;杨烁;冯华钰;贾志泰;陶绪堂;
单位：山东大学集成电路学院;山东大学晶体材料国家重点实验室;
摘要：微弱紫外光的探测在导弹跟踪、火焰警告、安全通信、环境监测和其他关键应用中备受关注。雪崩光电探测器(APD)具有轻便、低功耗、高量子效率和单片集成等优点，是紫外探测领域的重要研究方向。近年来，宽禁带和超宽禁带半导体材料因其禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高和化学稳定性好等性能，被视为紫外APD设计的理想材料。从现有报道来看，相比于GaN和SiC材料，Ga_2O_3具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强、更高的巴利加优值和更短的吸收截止边等突出优点，是一类值得关注的新材料。Ga_2O_3基APD以超宽带隙、高击穿电场、可控增益、优异热稳定性等优势，具有高响应度和高内部增益等性能，正在成为该领域的热点。本文综述了Ga_2O_3基APD的研究进展，分别对APD的器件结构、性能、发展历程与研究改进等进行介绍。
关键词：雪崩光电探测器;;紫外探测;;宽禁带半导体;;氧化镓;;雪崩增益
基金资助：国家自然科学基金(62304118,51932004,11804191)
