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作者：张恒;刘从峰;袁宁一;孙士文;
单位：常州大学材料科学与工程学院;江苏省光伏科学与工程协同创新中心;中国科学院上海技术物理研究所;中科宏芯(常州)传感科技有限公司;
摘要：本文探讨了碲锌镉（CdZnTe）晶体的夹杂缺陷、红外透射光谱特性和电阻率三者之间的相关性。采用垂直布里奇曼法生长碲锌镉单晶体，经切片、机械磨抛、化学机械抛光等工序获得双面抛光的晶片，对晶片的腐蚀形貌、夹杂缺陷、近红外透射光谱进行了检测分析，采用化学法在晶片上、下表面镀金电极并测试晶片的电阻率。研究结果表明，夹杂密度与电阻率之间具有相关性，且富碲和富镉晶片在I-V特性上表现出显著差异。在富碲晶片中，晶片的电阻率随碲夹杂密度的增大而升高；在富镉晶片中，当晶片电阻率大于10~9Ω·cm时，晶片电阻率随镉夹杂密度的增大而升高。
关键词：碲锌镉;;碲夹杂;;镉夹杂;;夹杂密度;;电阻率;;红外透射光谱
