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作者：李铭清;赵书文;封晶;郑祥;郭瀚;袁兰英;丁栋舟;冯鹤;
单位：上海大学材料科学与工程学院;中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院上海高等研究院;
摘要：Gd_3(Al,Ga)_5O_(12)∶Ce(GAGG)闪烁体综合性能优异，是高空间分辨率闪烁屏的重要候选材料。探究GAGG闪烁屏空间分辨率的影响因素是一项重要且极具挑战的任务。本工作制备了一系列GAGG单晶闪烁屏，测试了其光学与闪烁性能，通过Geant4模拟计算了理论空间分辨率，在上海同步辐射光源（SSRF）BL13HB光束线站开展了成像试验。结果表明，GAGG闪烁屏对生物组织与工业芯片具有优异的成像效果。GAGG闪烁屏的理论空间分辨率为0.4μm，本实验最高可实现0.9μm(555 lp/mm)。对比发现，闪烁屏厚度在0.3～1 mm变化不会对空间分辨率产生显著影响，空间分辨率对闪烁屏的表面状态和光学透过率更敏感。因此，在后续制备GAGG闪烁屏的过程中，可不用过分追求超薄厚度，而应将更多注意力放在如何提高单晶光学质量，比如优化生长工艺，减少包裹体；改进抛光工艺，提升闪烁屏表面光洁度。
关键词：GAGG∶Ce;;石榴石;;闪烁体;;闪烁屏;;X射线成像;;空间分辨率
基金资助：国家重点研发计划（2022YFB3503900）;; 国家自然科学基金面上项目（12275347）;; 中国博士后科学基金（2023M743649）
