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作者：艾进才;杨平平;赵紫薇;高忙忙;
单位：宁夏龙源新能源有限公司;宁夏大学材料与新能源学院;
摘要：单晶硅是制备半导体的关键材料之一，在降低成本的驱使下，大直径化和快速拉晶技术是直拉法制备单晶硅的发展趋势之一。本文提出了一种双热屏结构，分析了双热屏结构对单晶硅生长过程中的温度场和气体流场、固液界面、单晶硅生长速度、热应力的影响。结果表明，双热屏结构可以对固液界面附近氩气进行导流，消除热屏外侧的氩气涡流，增加晶体的散热，从而提高晶体的生长速率，最大生长速率提高了19.2%；同时，双热屏结构还可以改善固液界面波动，相较于单热屏结构，最大热应力降低了4.266 MPa。因此，双热屏结构具有较好的应用前景。
关键词：直拉单晶硅;;热屏结构;;生长速度;;固液界面;;热应力;;点缺陷
基金资助：国家自然科学基金（52164047）;; 中国科学院“西部之光”人才培养计划（XAB2022YW10）;; 银川市创新联合体组建引导专项（2022CXLHT001）
