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作者：申震;夏翔;李怡;李荣;杨晓禹;程英晔;史秀梅;
单位：内蒙金属材料研究所;
摘要：采用固相法烧结制备（Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr_ySn_(1-x-y)Ti_x)O_3反铁电陶瓷样品（x=0.01,0.03,0.05,0.07;y值沿La~(3+)掺杂PZST三元相图反铁电相界处取得），系统研究了B位不同Ti含量对PLZST体系反铁电陶瓷结构、微观形貌、铁电、介电特性的影响。结果表明：该体系PLZST反铁电陶瓷为简单钙钛矿（ABO_3）结构；且随Ti含量增加，其晶粒尺寸、陶瓷致密度均增大，材料最大极化强度相应提高，同时耐击穿电场强度有所降低；在B位Ti的质量分数为5%时储能特性最佳（W_(re)=1.7 J/cm~3,η=90.14%）；同时，该系列陶瓷具有良好的介电温度稳定性（350℃时介电损耗低于5%）和介电频率稳定性（测试频率在1MHz时介电常数变化率约为10%）。
关键词：电子陶瓷;;PLZST;;组分调节;;反铁电体
