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作者：高攀登;俞鹏飞;刘文斐;赵世伟;韩召;
单位：长安大学材料科学与工程学院;
摘要：CdTe基化合物半导体材料由于具有较宽的带隙、良好的光电性质和电子传输性能,在室温辐射探测领域具有广阔的应用前景。其中CdTe、CdZnTe、CdMnTe和CdMgTe单晶具有优异的载流子传输特性被用作室温X射线和γ射线探测器。本文探讨了CdTe基晶体生长的离子性强,热导率差等难点。介绍了CdTe基晶体的生长方法,并综述了CdTe基晶体在室温辐射探测领域的研究进展。展望了CdTe基晶体的发展方向,为CdTe基化合物半导体晶体材料的应用提供了更丰富的想象空间。
关键词：CdTe基半导体晶体;;物理性质;;生长难点;;晶体生长方法
基金资助：陕西省重点研发项目(2022GY-358);; 中央高校基本科研业务费专项资金项目(300102310204)
