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武汉大学学报(理学版)2025年第02期:宽禁带半导体辐照损伤理论研究方法与挑战

来源:期刊VIP网 时间:


作者:周芷璇;刘太巧;赵骏磊;张召富;

单位:武汉大学工业科学研究院;南方科技大学电子与电气工程系;

摘要:<正>日益增长的全球能源需求要求电力电子器件能够提高电力系统的能源传输效率。与硅基器件相比,宽禁带功率半导体器件具有更高的工作温度和工作电压,同时具备响应速度快、功率损耗低等显著优势~([1]),现已广泛应用于轨道交通、电动汽车、光伏和消费电子等领域。随着空间科学技术的不断发展,宽禁带半导体在地外空间极端环境中的应用也受到了广泛关注。

基金资助:武汉大学珞珈本科生创新研究基金项目;武汉大学大学生创新创业训练计划项目