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作者：艾建平;胡翔;帅亚萍;李文魁;罗司玲;程丽红;
单位：江西科技师范大学,材料表面工程江西省重点实验室;
摘要：采用传统电子陶瓷制备工艺，制备了Bi、Sb摩尔比为4:1的ZnO–Bi_2O_3基压敏陶瓷，研究低温(<1 000℃)烧结所得样品的显微结构和电学性能。结果表明，样品具有高的致密度和均匀的粒径，而且综合电学性能良好，电位梯度在599～1 154V/mm范围内。当Bi_2O_3、Sb_2O_3含量分别为0.60%(摩尔分数)和0.15%时，900℃烧结的样品，综合电学性能最优，电位梯度高达1 154 V/mm，非线性系数为13.7，漏电流为39μA。当烧结温度为920℃及以上时，Bi、Sb含量不同，Bi、Sb比值相同的2组样品，电位梯度非常接近，这为ZnO压敏陶瓷低碳制备提供一种新思路。
关键词：氧化锌压敏陶瓷;铋/锑摩尔比;电学性能;显微结构
基金资助：国家自然科学基金(52102101,52267001); 江西省研究生创新专项基金(YC2023–S882); 材料表面工程江西省重点实验室平台基金(2024SSY05071)
