来源：期刊VIP网 时间：
作者：陈丹莹;闫龙;罗稼昊;郑振宇;姜勇;张凯;周宁;廖宸梓;郭世平;
单位：中微半导体设备(上海)股份有限公司;
摘要：本文结合计算流体力学(CFD)实验与模拟，对垂直热壁晶圆高速旋转CVD设备中SiC的同质外延生长机制进行研究，探讨了晶圆表面C/Si比对外延生长速率及载流子掺杂浓度的影响。结果表明晶圆表面上方碳原子对硅原子的摩尔比(记为有效C/Si比)与气体进口处C/Si比存在偏差。这一差异主要来自于气相传输过程中反应组分的重新分布，以及反应前驱体在气体进口处和/或热壁上的寄生沉积。研究了有效C/Si比对生长速率和掺杂浓度的影响，结果表明，外延生长速率、载流子掺杂浓度及其均匀性主要受到表面C/Si比而非进口处C/Si比的影响。通过优化生长条件，实现了高质量的6英寸(1英寸=2.54 cm)外延片生长，其厚度和掺杂浓度均匀性分别为1.15%和2.68%。在此基础上，获得了同等质量的8英寸SiC外延层，并实现了超过50μm厚的SiC外延层快速生长。
关键词：碳化硅;;同质外延;;化学气相沉积;;C/Si比;;CFD模拟仿真
基金资助：上海市浦江人才计划(22PJ1423600)
