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作者：兰飞飞;刘莎莎;房诗舒;王英民;程红娟;
单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所;
摘要：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在雷达、5G通信、航空航天等领域发挥了重要作用，随着GaN HEMT功率密度的提升，器件热效应显著，散热成为了GaN HEMT性能提升的瓶颈。解决GaN HEMT器件散热问题的有效途径是采用高导热的衬底材料取代现役的SiC、Si衬底。金刚石是目前已知热导率(>2 000 W·m~(-1)·K~(-1))最高的材料，高导热金刚石衬底能够全面解决GaN HEMT器件的热效应，成倍提升GaN器件的功率密度。本文阐述了金刚石基GaN的技术优势、主要实现途径，以及界面热阻对金刚石上GaN器件性能的影响。综述了国内外金刚石基GaN界面热阻控制的最新研究进展，分析了金刚石上GaN界面热阻研究过程中面临的主要问题和发展趋势。明确了在介质层材料选择有限的条件下，需要从GaN和金刚石的界面质量入手进一步降低界面热阻，提升GaN器件的性能。
关键词：氮化镓;;金刚石基GaN;;界面热阻;;介质层;;功率密度;;HEMT
