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作者：刘森;陈毛;陈勇强;王海龙;张锐;范冰冰;
单位：郑州大学材料科学与工程学院;郑州大学洛阳产业技术研究院;
摘要：反应烧结是制备SiC陶瓷的一种常用工艺，所制备的SiC陶瓷不仅性能优越、烧结温度较低，而且样品的形状和尺寸不受限制，具有广泛的应用前景。但是，反应烧结碳化硅残留了较多的单质硅，严重影响了材料的高温性能。本文通过添加Al_2O_3-Y_2O_3-SiO_2烧结助剂来降低残留硅含量，使用SEM、EDS、TEM等分析方法研究烧结助剂对反应烧结SiC陶瓷结构和性能的影响。结果表明，烧结助剂能够有效填充晶粒间孔隙，提高材料的性能，当添加1.5%(质量分数)的烧结助剂时，样品的断裂韧性和抗弯强度分别达到了3.28 MPa·m~(1/2)和135.20 MPa,硬度和热导率也分别升高到18.1 GPa和18.60 W/(m·K)。此外，烧结助剂中存在的氧化铝等物相能够有效提升SiO_2氧化膜的稳定性，降低氧化速率，从而避免膜层开裂，显著提高SiC陶瓷的高温性能。
关键词：SiC;;SiO_2;;烧结助剂;;反应烧结;;致密度;;高温稳定性
基金资助：2024年度河南省杰出青年基金(242300421009);; 2022年度省级科技研发计划联合基金(优势学科培育类)重点项目(222301420002)
