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作者：付学伟;万小涵;马文会;李绍元;杨时聪;武绚丽;
单位：昆明理工大学冶金与能源工程学院;云南大学工学院;昆明理工大学继续教育学院;
摘要：单晶硅原生缺陷对太阳能电池的性能有着至关重要的影响.目前对掺镓单晶硅的缺陷研究比较少，文中针对商用掺镓单晶硅的原生缺陷进行研究，并探索其对少子寿命的影响.光致发光光谱显示，在晶圆中分布着宽度为4～5 cm的黑环区域，金相显微镜图片观察到一种罕见的V形缺陷仅在环区中1～2 cm的范围内分布，该区域观察到大量团簇的晶体原生氧沉淀.表征结果显示，V型缺陷符合氧化堆垛层错的特征，这些V形缺陷与原生氧沉淀共同组成缺陷复合区.复合区域对少子寿命减少的负面影响要大于其他黑环区域，由此加重少子寿命的非均匀径向分布，最终将对太阳能电池的电性能产生不利影响.
关键词：直拉单晶硅;;V形缺陷;;氧沉淀;;少子寿命
基金资助：云南省重点研发计划项目(202103AA080006,202202AG050012);; 云南省基础研究计划面上项目(202101AT070092);; 云南省“智汇云南”计划项目(202303AM140008);; 昆明理工大学“双一流”创建联合专项(202101BE070001-010)
