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作者：李欣昊;方进;
单位：北京交通大学电气工程学院;
摘要：超导带材在遇到外力、受热、磁场强度穿透不均匀时会产生缺陷，为研究当不同程度、不同位置的缺陷带来的电流及损耗影响。本文基于H方程与Kim模型建立了二维单根带材不同位置缺陷和堆叠结构中含有缺陷带材的仿真模型。结果表明：对于单根超导带材，交流损耗与产生缺陷的程度和位置分布有关。当缺陷程度越大时，损耗越大，当缺陷越靠近带材两端时，损耗越大；对于堆叠带材，当缺陷程度处于0%～30%时，缺陷带材所处位置对于交流损耗的影响较小，但当缺陷程度到达40%时，缺陷带材所处位置对交流损耗的影响大幅度提高。为了降低交流损耗带来的不利影响，需要更加关注带材缺陷位置与大小。
关键词：高温超导;;带材缺陷;;堆叠导体;;H方程;;交流损耗;;有限元仿真
基金资助：国家科技重大专项(2024ZD1100402)资助
