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作者：毛永强;谢百桐;李娜;
单位：辽宁工程技术大学材料科学与工程学院;辽宁工程技术大学理学院;
摘要：基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，系统研究单层Sn S_(2-x)Se_x合金的电子结构和光学性质，并评估其作为光电材料的应用潜力。结果表明：随着Se含量增加，合金仍保持立方晶系，但带隙从2.14 e V降到1.33 eV；原因在于Se的4p轨道形成杂质能级，使带隙明显减小。随着Se含量增加，合金静态介电常数和虚部吸收值逐渐增大，且虚部主峰也发生不同程度的红移。相对Sn_(16)S_(32)合金而言，Sn S_(2-x)Se_x合金不仅拓宽了可见光区域内的吸收范围，也具有更强的可见光吸收能力，这为单层Sn S_(2-x)Se_x合金光电材料的发展提供了理论依据。
关键词：第一性原理;;SnS_2-xSex;;电子结构;;光学性质
基金资助：国家自然科学基金（51874167;21808095）;; 辽宁省教育厅科学研究基金（LJ2020JCL033）
