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作者：陈冬冬;郭维;张朱锋;谢斌平;高汉超;
单位：费勉仪器科技(上海)有限公司;
摘要：裂解源是超高真空分子束外延（MBE）设备的核心部件，可用于生长诸如GaAs、InP、GaSb等多种III-V族化合物半导体外延材料。由于MBE使用过程中超高真空不易获取的特点，对裂解源的可靠性有很高的要求。文章探讨了分子束外延设备用砷裂解源装置高应力加速试验的原理和方法，针对裂解源的特点设计了加速老化试验方案。根据高温度应力加速模型，确定了裂解源的温度组合加速因子，设计出相应的试验任务剖面，并且根据试验方案得出裂解源的平均失效间隔时间（MTBF）大于5000 h。该方案为可靠性指标较高、受试样机数量紧缩的真空装置、科学仪器等设备的可靠性验证问题提供了工程应用参考。
关键词：分子束外延;;裂解源;;可靠性;;平均失效间隔时间
基金资助：国家重点研发计划“基础科研条件与重大科学仪器设备研发”专项资助项目（2022YFF0707600)
