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作者：周嘉豪;黄瑞轩;朱崇强;杨春晖;宋梁成;
单位：哈尔滨工业大学化工与化学学院;
摘要：CsPbBr_3单晶因其低缺陷密度、高载流子迁移率和优异稳定性，在辐射探测与光电器件领域展现出重要应用潜力，其高质量单晶的生长技术已成为当前研究的热点。系统综述了CsPbBr_3单晶的主流生长技术，重点分析了熔体法(如布里奇曼法与导模法)与溶液法(如逆温结晶、反溶剂结晶、降温结晶及蒸发结晶)的工艺特点与挑战。熔体法虽可制备大尺寸单晶，但高温易引起组分挥发与相变缺陷;溶液法虽在低温下进行，能有效抑制热致缺陷并实现较高的结晶质量，却普遍面临晶体尺寸受限、溶剂残留与生长周期长等问题。进一步比较了两类方法在晶体质量、尺寸控制、缺陷抑制及规模化制备方面的优劣，指出未来研究应聚焦于结晶机理探索、化学计量精确调控及新型工艺开发，以推动CsPbBr_3单晶的大规模产业化应用。该论文为大尺寸高质量CsPbBr_3单晶的可控制备与高性能器件开发提供了重要参考。
关键词：CsPbBr_3单晶;;晶体生长;;辐射探测;;熔体法;;溶液法
