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作者：张序清;刘晓双;张玺;朱如忠;高煜;吴琛;王蓉;杨德仁;皮孝东;
单位：浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室/材料科学与工程学院;浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院/浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室;浙江大学物理学院;浙江机电职业技术学院;
摘要：碳化硅(4H-SiC)晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺，衬底晶圆的表面质量直接影响外延薄膜以及后续器件的性能。本研究通过对4H-SiC晶片经线切割、磨削、研磨、抛光等不同加工工序后对应的表面形貌、粗糙度、机械性质和晶体质量的分析，发现晶片加工通过逐步去除线切割引入的表面损伤层，提高了晶片表面质量。4H-SiC晶片C面和Si面机械性质存在各向异性，C面材料韧性相对较差，加工过程中发生脆性断裂的程度更大，导致C面材料去除速率较快，表面形貌和粗糙度相对较差。
关键词：碳化硅;;晶片加工;;表面质量;;各向异性
基金资助：浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划资助项目(2022C01021);; 国家重点研发计划资助项目(2018YFB2200101);; 国家自然科学基金重大研究计划资助项目(91964107)
