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作者：刘云霞;刘晓强;程林;曹瑞芳;刘恭涛;李跃;
单位：首钢智新电磁材料(迁安)股份有限公司;
摘要：采用对比实验研究了不同温度下的高硅无取向电工钢的氧化行为，利用场发射扫描电子显微镜及其EDS功能观察了经不同温度(1 030～1 240℃)加热后高硅无取向电工钢氧化层的微观形貌、结构组成及合金元素的偏析现象.结果表明：经高温加热后的高硅无取向电工钢氧化层主要包括4部分，分别为纯氧化铁层、铁橄榄石和氧化铁混合层、富Si区与贫Si区混合层、致密氧化膜层；高温氧化过程中会产生Si成分偏析现象，1 240℃时Si的偏析深度可达130μm,不同深度偏析处的Si质量分数相差可达0.9%,且随着温度的降低，偏析程度逐渐减弱，直至消失.
关键词：高硅无取向电工钢;氧化层;Si偏析;铁橄榄石;致密氧化膜
基金资助：河北省省级科技计划资助项目(20311005D)
