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作者：张斌;蒋颖丹;权帅超;汪柏康;孙莎莎;秦战明;孙文俊;
单位：中国电子科技集团第五十八研究所;
摘要：为了降低温漂效应对放大器的影响，通过理论分析，设计了一款集成有温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率，电路采用两级差分共射-共基极（cascode）结构，输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchand巴伦，同时基于0.18μm SiGe BiCMOS高性能异质结双极晶体管工艺进行设计。电磁仿真结果显示，在8～16 GHz的频带范围内，放大器的增益>26 dB，输出1 dB功率压缩点≥10 dBm，饱和输出功率≥13 dBm，端口回波损耗≤-10 dB,-40～125℃范围内同频点增益浮动≤1.5 dB。所设计的驱动放大器电路性能稳定，2.8 V电源工作电流为45 mA，尺寸仅为0.50 mm×0.58 mm，实现了SiGe放大器高性能、小型化的设计要求。
关键词：驱动放大器;;宽带射频;;SiGe工艺;;温度补偿;;共射-共基极(cascode)结构;;Marchand巴伦;;异质结双极晶体管
