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作者：王震;郝华;蒋松松;张洁;曹明贺;尧中华;甘小燕;刘韩星;
单位：武汉理工大学三亚科教创新园;武汉理工大学材料科学与工程学院,材料科学与工程国际化示范学院,材料复合新技术国家重点实验室;
摘要：电子工业发展使多层陶瓷电容器的需求大增，为降低成本，适用于贱金属电极的介质陶瓷成为研究热点。选择MnO_2掺杂0.95Ba Ti O3–0.05Bi Co O3陶瓷，经调整掺杂比例，其抗还原与介电性能大幅提升。结果表明：还原气氛下Mn离子变价使晶胞体积膨胀，形成不均匀结构使Curie峰分裂并展宽，介温稳定性提高，x=0.5时性能最佳，ε(25℃)=2354,tanδ=0.007 5，稳定性符合X8R。同时，元素变价的过程有助于降低电子浓度，电阻率提高至1.84×10~(13)Ω·cm，最大耐压达到210 k V/cm。热激励退极化漏电流测试表明Co、Mn结合氧空位形成缺陷偶极，进一步增强抗还原性能。
关键词：多层陶瓷电容器;钛酸钡;电阻率;缺陷偶极子;介电性能
基金资助：国家重点研发计划项目(2023YFB3812200); 国家自然科学基金(52472135); 广东省基础与应用基础研究基金区域联合基金重点项目(2022B1515120041)
