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作者：杨文文;卢伟;谢辉;刘刚;吕鑫雨;摆易寒;李晨慧;潘教青;赵有文;沈桂英;
单位：中国科学院半导体研究所,固态光电信息技术实验室;中国科学院大学材料科学与光电技术学院;中国科学院半导体研究所,光电子材料与器件重点实验室;
摘要：锑化镓因其优越的物理特性和重要的应用价值而受到广泛关注。研究团队采用液封直拉法成功生长出国内首根6英寸n型掺Te锑化镓单晶锭，加工制备出高质量6英寸（1英寸=2.54 cm）锑化镓单晶衬底，并对晶体结晶质量和晶片表面性质进行了研究。测试结果表明，锑化镓衬底（400）面摇摆曲线半峰全宽仅为20″，平均位错密度约为3 177 cm~(-2)，表面粗糙度Rq为0.42 nm，氧化层厚度为2.92 nm，显示出6英寸锑化镓单晶具有较高的结晶质量和优良的表面形貌。此外，通过对6英寸锑化镓单晶生长过程进行数值模拟计算，获得了其热场分布、流场分布和固液界面偏转情况。这些研究成果为锑化镓材料的高质量生长提供了新的思路，并为大尺寸晶体的产业化应用提供了坚实基础。
关键词：6英寸;;锑化镓;;液封直拉法;;位错密度;;数值模拟;;热场分布;;氧化层厚度;;粗糙度
基金资助：国家自然科学基金面上项目（62374161）
