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作者：朱家怡;杜帅;周鹏飞;郑凡;陈云琳;
单位：北京交通大学物理科学与工程学院;
摘要：在200℃下采用磁控溅射方法在玻璃衬底与硅基板上溅射沉积LiNbO_3/ITO(LN/ITO)异质结薄膜。通过X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外可见分光光度计和变温霍尔效应等测试了该薄膜的结构、形貌及光电性质。XRD测试结果表明，相比于ITO/LN,LN/ITO叠层顺序有更优的生长取向和结晶性能。AFM结果显示，200℃下异质结薄膜表面较为平整，鲜少有凸起。通过紫外可见分光光度计透光性能测试，相比于LN单层薄膜，叠层后的异质结薄膜的透光率在可见光范围内有所提高，且退火后异质结薄膜透光性进一步增强。利用变温霍尔效应测试仪研究了LN/ITO异质结的电学性质，测试结果表明LN/ITO异质结薄膜为p型半导体；与LN单层薄膜相比，LN/ITO异质结薄膜的电导率提高了11个数量级。
关键词：LN/ITO薄膜;;异质结;;磁控溅射镀膜;;透光率;;霍尔效应
基金资助：国家大学生创新训练计划项目（20241000411453）
