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作者：代同光;谭新;宋志成;郭永刚;袁雅静;倪玉凤;汪梁;
单位：青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司;
摘要：目前隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)电池制造技术越来越成熟，所耗成本不断降低。行业内普遍采用低压化学气相沉积(LPCVD)方式进行双面沉积或单面沉积。单面沉积存在Poly-Si绕镀问题，严重影响电池片转化效率和外观质量，同时正面绕镀层去除难度较大，在用碱溶液去除绕镀层的同时，存在绕镀层去除不彻底或者非绕镀区域P~+层被腐蚀的风险，导致P~+发射极受损，严重影响电池片外观质量与性能。双面沉积可避免上述问题，但产能减少一半，制造成本增加。本文对单面沉积Poly-Si工艺及绕镀层去除工艺进行研究，在TOPCon电池正面及背面制作了一层合适厚度的氧化层掩膜，搭配合适的清洗工艺、去绕镀清洗工艺，既可有效地去除P~+层绕镀的Poly-Si,也可很好地保护正面P~+层及背面掺杂Poly-Si层不受破坏，同时可大幅提升产能。
关键词：TOPCon太阳电池;;Poly-Si绕镀层;;低压化学气相沉积;;BSG;;PSG;;腐蚀速率
