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作者：徐玉琦;李晴雯;钟敏;
单位：渤海大学化学与材料工程学院;辽宁省光电功能材料与检测重点实验室;
摘要：碘氧化铋(BiOI)由于低毒性、对点缺陷的耐受性和较强的吸光能力而应用在光催化、光伏和光电探测器领域。本文采用化学气相沉积(CVD)方法，以BiI_3粉末作为蒸发源，O_2/Ar作为反应气体，在钠钙玻璃基底上沉积BiOI薄膜，并通过研究蒸发源温度和沉积时间对薄膜物相和形貌的影响，分析了BiOI薄膜的生长机理。结果表明CVD方法制备的BiOI薄膜属于四方晶系，具有高c轴取向的特点。c轴取向的薄膜平行于基底生长，其结晶性、透过率及缺陷性能等都与蒸发温度和沉积时间密切相关。当蒸发温度为370℃、沉积时间为20 min时，BiOI薄膜的晶化最好，透过率最低，缺陷最少。
关键词：碘氧化铋;;光电材料;;化学气相沉积;;半导体
基金资助：辽宁省教育厅基金(LJKZ1029)
